EN : Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
FR : Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
NL : Bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGBT)
ES : Transistores bipolares de rejilla aislada (IGTB)
IT : Transistor bipolare con gate isolato (IGBT)
DE : Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT)
PT : Transístores bipolares de porta isolada (IGBT)
BG : Биполярни транзистори с изолиран гейт (IGBT)
CS : Bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT)
DA : Insulated-gate bipolare transistorer (IGBT)
EL : Διπολικά τρανζίστορ μονωμένης πύλης (IGBT)
ET : Isoleeritud paisuga bipolaarsed transistorid (IGBT)
FI : Eristehilatransistorit (IGBT)
GA : Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
HU : Szigetelt vezérlőelektródos bipoláris tranzisztorok (IGBT)
LT : Dvipoliai tranzistoriai su izoliuota užtūra (IGBT)
LV : Izolēta slēdža bipolārie tranzistori (IGBT)
MT : Tranżisters bipolari b’gate iżolata (IGBT)
PL : Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT)
RO : Tranzistori bipolari cu electrod de comandă izolat (IGBT)
SK : Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom (IGBT)
SV : Bipolära transistorer med isolerad grind (IGBT)